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电气特性Electrical Characteristics 封装外形
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IT VDRM ITSM VTO rT dv/dt TVJM RthJC
ITRMS  ITVM   @TC /VRRM 45°C/10ms per chip
A A °C V A V V/μs °C K/W
S3SSAC70G08B 110 70 85 800 1280 0.85 3.2 1000 125 0.42 Fig. 53 PDF
S3SSAC70G12B 110 70 85 1200 1280 0.85 3.2 1000 125 0.42 Fig. 53 PDF
S3SSAC70G16B 110 70 85 1600 1280 0.85 3.2 1000 125 0.42 Fig. 53 PDF
S3SSAC70G18B 110 70 85 1800 1280 0.85 3.2 1000 125 0.42 Fig. 53 PDF
S3SSAC70G08TB 110 70 85 800 1280 0.85 3.2 1000 125 0.42 Fig. 53 PDF
S3SSAC70G12TB 110 70 85 1200 1280 0.85 3.2 1000 125 0.42 Fig. 53 PDF
S3SSAC70G16TB 110 70 85 1600 1280 0.85 3.2 1000 125 0.42 Fig. 53 PDF
S3SSAC70G18TB 110 70 85 1800 1280 0.85 3.2 1000 125 0.42 Fig. 53 PDF
SSAC70GK08 110 70 85 800 1280 0.85 3.2 1000 125 0.3 Fig. 38 PDF
SSAC70GK12 110 70 85 1200 1280 0.85 3.2 1000 125 0.3 Fig. 38 PDF
SSAC70GK14 110 70 85 1400 1280 0.85 3.2 1000 125 0.3 Fig. 38 PDF
SSAC70GK16 110 70 85 1600 1280 0.85 3.2 1000 125 0.3 Fig. 38 PDF
SSAC70GK18 110 70 85 1800 1280 0.85 3.2 1000 125 0.3 Fig. 38 PDF
SSAC70GK20 110 70 85 2000 1280 0.85 3.2 1000 125 0.3 Fig. 38 PDF
SSAC70GK22 110 70 85 2200 1280 0.85 3.2 1000 125 0.3 Fig. 38 PDF
SSAC70GK24 110 70 85 2400 1280 0.85 3.2 1000 125 0.3 Fig. 38 PDF
SSAC90GK08 140 90 85 800 1700 0.85 3.2 1000 125 0.3 Fig. 38 PDF
SSAC90GK12 140 90 85 1200 1700 0.85 3.2 1000 125 0.3 Fig. 38 PDF
SSAC90GK14 140 90 85 1400 1700 0.85 3.2 1000 125 0.3 Fig. 38 PDF
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